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2N6800中文资料

2N6800图片

2N6800外观图

  • 大小：27.58KB
  • 厂家：SEME-LAB [Seme LAB]
  • 描述：N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：停产
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.75 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：800mW（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-39
  • 封装/外壳：TO-205AF 金属罐

2N6800供应商

更新时间:2023-01-04 02:16:55
批量询价 所在地：全国北京上海深圳浙江江苏广东山东广州汕头陕西
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