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2N6800中文资料

2N6800图片

2N6800外观图

  • 大小:27.58KB
  • 厂家:SEME-LAB [Seme LAB]
  • 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 欧姆 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.75 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):800mW(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-39
  • 封装/外壳:TO-205AF 金属罐

2N6800供应商

更新时间:2023-01-04 02:16:55
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